晶體學(xué)分析
試驗(yàn)項(xiàng)目
高分辨成像、電子繞射圖分析、晶格缺陷(dislocation)分析。
試驗(yàn)參數(shù)
電壓范圍: 200kV
信息分辨率:0.12nm(TEM )
電子源:FEG
STEM探頭:BF/DF/HAADF
HAADF圖片分辨率:0.16 nm(STEM)
試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)
GB/T 18907、GB/T 30543等。