破壞性物理分析
通過(guò)破壞性物理分析,驗(yàn)證元器件的設(shè)計(jì)、結(jié)構(gòu)、材料和制造質(zhì)量是否滿足規(guī)范要求。這包括對(duì)生產(chǎn)批的元器件進(jìn)行非破壞性和破壞性的檢查和分析,獲取元器件的批質(zhì)量信息。
確定失效原因的物理分析(PFA),通常需要包含樣品制備和觀測(cè)兩部分。
樣品制備包含開(kāi)蓋去除封膠 (Decap)、芯片去層 (Delayer)、樣品前制樣 (結(jié)構(gòu)去除/冷埋塑封/裁切/解焊取樣)、剖面/晶背研磨 (Crosssection/Backside)、離子束剖面研磨 (CP)、樣品制備。
觀測(cè)包含掃描式電子顯微鏡 (SEM)測(cè)試&能量色散X射線光譜成份分析(EDX)、電子背散射衍射分析(EBSD)。
