電性測(cè)試
芯片電性測(cè)試的主要目的是確保芯片的電氣性能符合設(shè)計(jì)規(guī)格，從而保證芯片在實(shí)際應(yīng)用中的可靠性和穩(wěn)定性。通過(guò)電性測(cè)試，可以檢測(cè)出芯片在正常工作狀態(tài)下的電力消耗、電流、電壓、電阻等參數(shù)是否符合預(yù)期，確保芯片在不同工作條件下的性能表現(xiàn)?。芯片電性性測(cè)試是指對(duì)芯片設(shè)計(jì)特性進(jìn)行測(cè)試，包括電流、電壓、功率、阻抗等參數(shù)的測(cè)量。其基本原理是通過(guò)向芯片中注入電流或電壓，然后測(cè)量芯片的響應(yīng)，從而得到芯片的電學(xué)特性參數(shù)。實(shí)驗(yàn)室的電性測(cè)試主要可分為芯片靜態(tài)測(cè)試以及芯片可靠性測(cè)試兩個(gè)方面。
試驗(yàn)項(xiàng)目
芯片靜態(tài)測(cè)試
包含I-V電特性量測(cè)（I-V Curve）、點(diǎn)針信號(hào)量測(cè)（Probe）、納米探針電性量測(cè)。
芯片可靠性測(cè)試
包含靜電放電/過(guò)度電性應(yīng)力/閂鎖試驗(yàn)（ESD/EOS/Latch-up）、橫向電波小室抗擾度測(cè)試（TEM Cell EMI）、靜電放電抗擾度(ESD GUN)、近場(chǎng)掃描量測(cè)（Near Field Scanner）以及傳輸線脈沖系統(tǒng)（TLP&VFTLP）。
