失效點(diǎn)定位
失效點(diǎn)定位是針對(duì)異常芯片的異常電性條件運(yùn)行，查找失效點(diǎn)/特殊熱點(diǎn)位置，并結(jié)合芯片的原始設(shè)計(jì)情況判斷芯片失效的機(jī)理來(lái)進(jìn)行失效可能發(fā)起路徑定位。尤其是芯片內(nèi)部的失效定位，需要全面的資訊，比如芯片設(shè)計(jì)版圖、工藝、結(jié)構(gòu)、材料等很多方面都會(huì)涉及到。失效定位在不破壞樣品或者部分破壞樣品的情況下，定位出失效問(wèn)題的物理位置。
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試驗(yàn)項(xiàng)目
失效點(diǎn)定位可以分兩種，一種是熱點(diǎn)定位，另一種為電位襯度（Voltage Contrast）定位。
熱點(diǎn)定位包含銦鎵砷微光顯微鏡分析測(cè)試(InGaAs)、激光束電阻異常偵測(cè) (OBIRCH)、Thermal EMMI (InSb)。
電位襯度定位可以分為主動(dòng)式以及被動(dòng)式，主動(dòng)式有電子束吸收電流分析（EBAC ）以及導(dǎo)電原子力顯微鏡測(cè)試分析 (C-AFM) ; 被動(dòng)式為被動(dòng)式電壓對(duì)比分析（PVC）。
